Comparison of COTS SRAMs and SDRAMs on total ionizing dose tolerance

民生用SRAM及びSDRAMのトータルドーズ耐性の比較

Takeuchi, Koichiro*; Akiyama, Masatsugu*; Hirao, Toshio

民生用半導体部品の宇宙適用検証のためには、実用環境に近い低線量率照射場で半導体部品の劣化評価を行い、劣化に及ぼす線量率の影響を明らかにする必要がある。本研究では、衛星に搭載が計画されている民生用半導体素子のSRAMとSDRAMに対し、原研高崎研の低線量率コバルト照射施設を使用し劣化評価試験を実施した。照射線量率は0.5Gy/h50Gy/hの範囲で変化させ累積線量は300Gyとした。その結果、300Gyまでの照射量では、両部品とも十分な耐性があることが確認できた。本ワークショップでは、これら照射効果の解析について発表し、試験方法に関する議論を行う。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of the 6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-6)
巻	:
号	:
ページ数	:	p.195 - 199
発行年月	:	2004/10
発表会議名	:	6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-6)
開催年月	:	2004/10
開催都市	:	Tsukuba
開催国	:	Japan
キーワード	:	民生用半導体; COTS; 線照射; 低線量率; 放射線劣化; 宇宙適用

特許データ	:
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論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	コバルト60照射施設
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	三菱電機

Access	:	- Accesses
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登録番号 : B20041349
抄録集掲載番号 : 47001663
論文投稿番号 : 22272

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