Evaluation of the electrical characteristics of III-V compounds solar cells irradiated with protons at low temperature

低温で陽子線照射したIII-V族化合物半導体太陽電池の電気特性の評価

大島武; 住田泰史*; 今泉充*; 川北史朗*; 島崎一紀*; 桑島三郎*; 大井暁彦*; 伊藤久義

Oshima, Takeshi; Sumita, Taishi*; Imaizumi, Mitsuru*; Kawakita, Shiro*; Shimazaki, Kazunori*; Kuwajima, Saburo*; Oi, Akihiko*; Ito, Hisayoshi

多接合型(InGaP/GaAs/Ge)太陽電池について、低温(175K)での10MeV陽子線照射及び電気特性測定を行った。310 $^{13}$ /cm $^{2}$ 照射により短絡電流,開放電圧,最大電力をそれぞれ初期値の77%, 77%, 50%程度まで低下させ、その後、光照射や電流注入が劣化した特性に及ぼす影響を調べた。その結果、AM0模擬太陽光照射では劣化した特性は変化しないが、暗状態での順方向バイアス印加により0.5A/cm $^{2}$ 程度の電流注入を行うと短絡電流,開放電圧,最大電力ともに回復を示すことが判明した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of 31st IEEE Photovoltaic Specialists Conference and Exhibition (PVSC-31)
巻	:
号	:
ページ数	:	p.806 - 809
発行年月	:	2005/00
発表会議名	:	31st IEEE Photovoltaic Specialists Conference and Exhibition (PVSC-31)
開催年月	:	2005/01
開催都市	:	Florida
開催国	:	U.S.A.
キーワード	:	多接合型太陽電池; 陽子線照射; 低温測定; 電流注入; 劣化回復

特許データ	:
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論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	宇宙航空研究開発機構

Access	:	- Accesses
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登録番号 : B20041489
抄録集掲載番号 : 330669
論文投稿番号 : 21987

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