Analysis of flight demonstration results of an InGaP/GaAs dual-junction tandem solar cell

InGaP/GaAs二接合タンデム太陽電池の宇宙実証データの解析

Imaizumi, Mitsuru*; Sumita, Taishi*; Kawakita, Shiro*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Kuwajima, Saburo*

人工衛星つばさ「MDS-1」に搭載された地上用InGaP/GaAs二接合タンデム太陽電池の耐放射線性の実宇宙環境試験結果を地上試験結果と比較した。600日間静止トランスファー軌道(GTO)に投入されたタンデム太陽電池の電気特性を解析し、短絡電流(I $_{SC}$ ),開放電圧(V $_{OC}$ )及び最大電力(P $_{MAX}$ )を求めた。600日経過後の特性劣化量と地上での1MeV電子線及び10MeV陽子線照射実験の結果を比較したところ、1MeV電子線を基準とした等価フルエンス解析では、I $_{SC}$ , V $_{OC}$ 及びP $_{MAX}$ で照射線量に約一桁のズレがあるのに対し、10MeV陽子線を基準とした等価フルエンス解析では全てのパラメータで良い一致を示した。この結果は、GTO軌道では電子線より陽子線の存在量が多いことに起因すると考えられる。これより、従来は1MeV電子線等価フルエンスにより太陽電池の寿命予測を行ってきたが、投入する軌道によっては10MeV陽子線等価フルエンスによる寿命予測を行った方が正確に寿命予測が行えると帰結できた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of 31st IEEE Photovoltaic Specialists Conference and Exhibition (PVSC-31)
巻	:
号	:
ページ数	:	p.563 - 566
発行年月	:	2005/00
発表会議名	:	31st IEEE Photovoltaic Specialists Conference and Exhibition (PVSC-31)
開催年月	:	2005/01
開催都市	:	Florida
開催国	:	U.S.A.
キーワード	:	InGaP/GaAs二接合タンデム太陽電池; 実宇宙試験; 地上試験; 等価フルエンス解析

特許データ	:
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論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	宇宙航空研究開発機構

Access	:	- Accesses
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登録番号 : B20041922
抄録集掲載番号 : 330666
論文投稿番号 : 21984

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