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X-ray and fourier transformed infrared investigation of $$beta$$-SiC growth by ion Implantation

イオン注入法によって形成された$$beta$$-SiCのX線回折法及びフーリエ変換型赤外吸収分光法による研究

Zhang, Z.; 鳴海 一雅; 楢本 洋; 山本 春也; 宮下 敦巳

Zhang, Z.; Narumi, Kazumasa; Naramoto, Hiroshi; Yamamoto, Shunya; Miyashita, Atsumi

Si(100)基板に150keV $$^{12}$$C$$^{+}$$イオンを、低温で9.0$$times$$10$$^{17}$$/cm$$^{2}$$まで注入して非晶質なSi+C層を形成後、熱処理による固相結晶成長過程を、X線回折法、フーリエ赤外分光法によって調べた。その結果、以下の結論を得た。(1)化学量論比を考慮してイオン注入を行うことにより、Si中で、結晶性の$$beta$$-SiCを形成できる。(2)固相結晶成長させる場合、大量イオン注入の条件下でも、基板を非晶質状態に保つことが重要で、その後の熱処理過程に影響を与える。

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分野:Physics, Applied

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