Laser ablation of silicon in neon gas; Study of excitation mechanism of neon neutrals by ablated silicon ions

ネオンガス中でのレーザーアブレーション; アブレーションにより生成したシリコンイオンによる中性ネオンの励起メカニズムに関する研究

佐伯 盛久; 平田 紘一*; 作花 哲夫*; 大場 弘則  ; 横山 淳

Saeki, Morihisa; Hirata, Koichi*; Sakka, Tetsuo*; Oba, Hironori; Yokoyama, Atsushi

Nd:YAGレーザーの基本波を用いてネオンガス中でシリコンのレーザーアブレーションを行い、アブレーション生成物であるシリコンイオンによるネオンの励起過程を分光学的手法により調べた。その結果、ネオンは入力エネルギーの数十倍のエネルギー準位まで励起されており、その励起過程は早い成分(100ns)と遅い成分(300ns)に分類できることがわかった。さらに、早い成分は特定の励起状態においてのみ観測された。シリコンイオンとネオンで発光の時間変化を比較した結果、早い成分はシリコンイオンとネオンの電子状態間での共鳴的なエネルギー移動過程によるものであり、遅い成分はシリコンイオンの衝突エネルギーによりネオンが励起される過程であることが明らかになった。

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