黒田 真司*; Marcet, S.*; Bellet-Amalric, E.*; Cibert, J.*; Mariette, H.*; 山本 春也; 酒井 卓郎; 大島 武; 伊藤 久義
Kuroda, Shinji*; Marcet, S.*; Bellet-Amalric, E.*; Cibert, J.*; Mariette, H.*; Yamamoto, Shunya; Sakai, Takuro; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi
窒化ガリウム(GaN)へMnをドープすることで希薄磁性半導体が形成できると期待されているが、結晶中のMnの占有位置により磁性が変化するため、結晶中のMn位置と磁性の関係を明らかにする必要がある。本研究では、分子線エピタキシー(MBE)で作製した(Ga,Mn)Nエピ膜及びAlN基板上に形成した(Ga,Mn)Nドット中のMnサイトに関する知見を得るためにラザフォード後方散乱(RBS)と粒子誘起X線放出(PIXE)測定を行った。その結果、RBSチャネリングに対応してPIXEにより求めたGa及びMn濃度が減少することを見いだした。このことより、ほぼ全てのMn原子がGaサイトに置換していることが明らかとなった。また、ドット中に含まれるMn濃度のPIXE分析の結果、同一条件でエピ成長をした厚膜よりMn濃度が二
三倍高濃度であることが明らかとなり、ドット形成により多量のMnが結晶中に導入できるとの結論が得られた。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 203 |
号 |
: | 7 |
ページ数 |
: | p.1724 - 1728 |
発行年月 |
: | 2006/05 |
発表会議名 |
: | 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6) |
開催年月 |
: | 2005/08 |
開催都市 |
: | Bremen |
開催国 |
: | Germany |
キーワード |
: | Mnドープ窒化ガリウム((Ga,Mn)N); 磁性半導体; 自己形成ドット; 分子線エピタキシー(MBE); ラザフォード後方散乱(RBS); 粒子誘起X線放出(PIXE) |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：31.23 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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