Synchrotron radiation photoabsorption and photoemission spectroscopy for thermal-induced reoriented Si polymer

レーザー加熱法により再配向したSiポリマー薄膜の放射光を用いたX線吸収分光と光電子分光

Nath, K. G.; 下山 巖   ; 関口 哲弘  ; 馬場 祐治  

Nath, K. G.; Shimoyama, Iwao; Sekiguchi, Tetsuhiro; Baba, Yuji

放射光を使った光電子分光法とX線吸収分光法を用い、ポリジメチルシランポリマー{PDMS, [Si(CH)]}の電子状態と分子配向に対するレーザー加熱による効果を調べた。試料は高配向焼結グラファイト基板上にPDMS粉末を担持したものである。Si 1s励起のX線光電子分光測定及びSi-1s X線吸収端微細構造(NEXAFS)測定ともにアニーリングにより電子状態変化が起こるという結果が得られた。さらに角度依存NEXAFS測定を行った。その結果、アニーリング前には分子鎖はランダム配向であったのに対し、アニーリングにより生成した薄膜には強いSi-Si分子鎖配向が生じるという現象が見いだされた。

The effect of laser annealing on electronic atructures and molecular orientation for poly(dimethylsilane), {PDMS, [Si(CH)]} has been studied by synchrotron radiation photoemission and photoabsorption spectroscopy. Prior to annealing, PDMS powder was mounted on the basal plane of highly oriented pyrolytic graphite. Both Si 1s X-ray photoemission spectroscopy and near-edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS) spectroscopy at Si 1s edge show that electronic structures have been modified due to annealing. Furthermore, the angle-dependent NEXAFS spectra clearly indicate that the annealed products maintain a specific orientation. Interestingly, no such kind of orientation is present in as-received PDMS powder as no angle-dependency is observed before annealing.