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Electron paramagnetic resonance study of the ${it HEI}$4/${it SI}$5 center in 4H-SiC

4H-SiC中の${it HEI}$4/${it SI}$5センターの電子常磁性共鳴研究

梅田 享英*; Son, N. T.*; 磯谷 順一*; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義; Janz$'e$n, E.*

Umeda, Takahide*; Son, N. T.*; Isoya, Junichi*; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Janz$'e$n, E.*

六方晶炭化ケイ素(4${it H}$-SiC)中の欠陥センターである${it SI}$5を電子常磁性共鳴(EPR)法を用いて調べた。従来、${it SI}$5は高抵抗4${it H}$-SiC基板中に存在することが知られていたが、低濃度であるため解析が難しく、欠陥構造の同定がなされていなかったが、本研究では、800$$^{circ}$$Cでの高温で電子線(3MeV)を照射することで大量の${it SI}$5を導入できることを見いだし、その構造同定を試みた。試料にはn型の4${it H}$-SiCを用い、800$$^{circ}$$Cにて3MeV電子線を1$$times$$10$$^{18}$$/cm$$^{2}$$照射し${it SI}$5を導入した。100Kにて${it SI}$5の超微細構造を詳細に調べることで、${it SI}$5が、負に帯電した炭素空孔(V$$_{C}$$)とシリコンサイトを置換した炭素(C$$_{Si}$$)の複合欠陥(V$$_{C}$$-C$$_{Si}$$$$^{-}$$)であることを決定した。さらに、${it SI}$5の構造が55K以下ではC$$_{3v}$$対称からC$$_{1h}$$対称となることを明らかにした。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Materials Science Forum

巻

 :

527-529

号

 :

ページ数

 :

p.543 - 546

発行年月

 :

2006/00

発表会議名

 :

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (ICSCRM '05)

開催年月

 :

2005/09

開催都市

 :

Pittsburgh

開催国

 :

U.S.A.

キーワード

 :

4H-SiC; 電子線照射; 電子常磁性共鳴(EPR); SI5センター; V$$_{C}$$-C$$_{Si}$$$$^{-}$$

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

筑波大学

Access

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