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X-ray topography on piezoelectric La$$_3$$Ga$$_5$$SiO$$_{14}$$ single crystal

ランガサイト単結晶のX線トポグラフィによる評価

米田 安宏   ; 岡島 由佳; 武田 博明*; 塩嵜 忠*; 水木 純一郎

Yoneda, Yasuhiro; Okajima, Yuka; Takeda, Hiroaki*; Shiosaki, Tadashi*; Mizuki, Junichiro

圧電材料として有望なLa$$_3$$Ga$$_5$$SiO$$_{14}$$(ランガサイト)は近年、チョクラルスキー法を用いて巨大単結晶が育成されるようになってきた。この単結晶を用いてX線トポグラフィで評価し、より高品位な結晶育成にフィードバックさせることを試みた。測定した単結晶試料の結晶性を評価するためにロッキングカーブの測定を行った。その結果、半値幅が16.75arcsecであり、われわれが期待したよりは結晶性が悪かった。この原因を明らかにするため、さらに詳細なX線回折測定を行ったところ、倍周期の超格子反射が見つかった。ランガサイトの空間群は${it P321}$であり、この${it 2d}$サイトを占有するSiとGaのオーダーを示すと考えられる。さらに、非常に弱いながらも非晶質の散乱線が観測され、これは結晶化する直前の融液相の構造を反映していると考えられる。このような超格子反射や非晶質ピークはこれまでに報告例がなく、さらなる高品位結晶を得るための有力な情報として、現在解析をすすめている。

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