低地球軌道上の原子状酸素による酸化膜形成とその特徴,3

Characteristics of the formation of silicon dioxide by atomic oxygen in LEO, 3

横田 久美子*; 田川 雅人*; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿

Yokota, Kumiko*; Tagawa, Masahito*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden

低地球軌道空間を模擬した環境でSi(001)表面に形成した酸化膜を放射光光電子分光法で分析した。その結果、低地球軌道空間を模擬した環境で形成したSi/SiO界面のサブオキサイド量が通常の高温酸化過程で形成したサブオキサイド量よりかなり少量であることが明らかになった。

The oxide film formed on Si(001) in a simulated low-Earth-orbit(LEO)-space environment was analyzed by synchrotron radiation photoelectron spectroscopy (SR-PES). The SR-PES results clearly indidcated that the amount of suboxides at the Si/SiO interface formed in a simulated LEO environment at room temperature was much lower than that formed by an ordinary high-temperature oxidation process.