高エネルギーX線照射した導電性セラミックスにおける原子変位過程

Atomic displacements in electrically conducting ceramics irradiated with high-energy X-ray

石川 法人   ; 知見 康弘; 道上 修*; 太田 靖之*; 本橋 治彦*; 岩瀬 彰宏*

Ishikawa, Norito; Chimi, Yasuhiro; Michikami, Osamu*; Ota, Yasuyuki*; Motohashi, Haruhiko*; Iwase, Akihiro*

本研究では、59keVのエネルギー範囲の単色高エネルギーX線を導電性セラミックスEuBaCuOy薄膜に低温で照射し、照射効果のX線エネルギー依存性を調べた。その結果、固体内X線吸収に起因する格子欠陥形成を反映した電気抵抗増加を観測することができた。さらに、その電気抵抗変化が、試料の吸収した総エネルギーで決定されることがわかった。固体内電子励起が、高密度でなくとも格子欠陥を生成することを示したものであり、X線照射も高エネルギーイオン照射と同様に電子励起効果を起こすことがわかった。

Electrically Conducting Ceramics EuBaCuOy thin film has been irradiated with monocromatic high-energy X-ray with the energy in the range of 5-9keV, and the X-ray energy dependence of the irradiation effect has been investigated. Electrical resistivity increase reflecting lattice defect creation has been observed as a result of X-ray irradiation. Moreover, the increase in the resistivity is found to be determined by the total energy absorbed by the irradiated sample. This result indicates that ionization can create lattice defects even if the ionization density is not high as in the case of high-energy ion irradiation.