大島 武; 宮本 晴基; 今泉 充*; 森岡 千晴*; 川北 史朗*; 島崎 一紀*; 岐部 公一*; 河野 勝泰*; 伊藤 久義
Oshima, Takeshi; Miyamoto, Haruki; Imaizumi, Mitsuru*; Morioka, Chiharu*; Kawakita, Shiro*; Shimazaki, Kazunori*; Kibe, Koichi*; Kawano, Katsuyasu*; Ito, Hisayoshi
次期の宇宙用太陽電池の主力である三接合(3J)太陽電池の劣化特性の電流注入による回復現象を明らかにするために、照射陽子線のエネルギーと劣化の回復特性の関係を調べた。試料にはInGaP/GaAs/Geの3J太陽電池を用い、室温にて50keV又は10MeVの陽子線を照射した。発電による電流注入効果を避けるために、照射中は暗状態、回路は開放状態とした。50keV陽子線では、1.2
10
/cm
照射により短絡電流(I
)の保存率は81%となった。一方、10MeV陽子線の場合は、Iが80%となる照射量は50keVに比べ一桁多い3.010
/cmであったが、このことは10MeV陽子線が3J太陽電池を通過するのに対し50keV陽子線が3J太陽電池のトップセルであるInGaPの接合付近に飛程を持つため損傷が大きいことによる。照射後、0.03
0.25A/cmで電流注入を行ったところ、劣化した特性は両方の3J太陽電池ともに同様の回復を示し、照射エネルギーの違いにより回復の大きさに差異はないことを見いだし、Iの回復量から欠陥のアニール率を見積もったところ、510
110
/sが決定された。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | Proceedings of 2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-4) (CD-ROM) |
巻 |
: | |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.1818 - 1821 |
発行年月 |
: | 2006/05 |
発表会議名 |
: | 2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-4) |
開催年月 |
: | 2006/05 |
開催都市 |
: | Waikoloa |
開催国 |
: | U.S.A. |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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使用施設 |
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