Study on optimum structure of AlInGaP top cell for triple-junction space solar cell

三接合宇宙太陽電池としてのAlInGaPトップセルの構造最適化の研究

Morioka, Chiharu*; Imaizumi, Mitsuru*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Kibe, Koichi*

宇宙用多接合太陽電池のさらなる高効率化に期待されているAlInGaPトップセルの耐放射線性に関する研究の一環として、AlInGaP太陽電池の放射線照射効果を調べた。試料にはGaAs基板上に化学気相成長法を用いて作製したキャリア濃度の異なるAlInGaP太陽電池(310 $^{16}$ 310 $^{17}$ /cm $^{3}$ )を用い、3MeV陽子線を室温にて110 $^{14}$ /cm $^{2}$ まで照射した。初期特性に関しては、短絡電流(I $_{SC}$ )はキャリア濃度が低い試料ほど大きく、開放電圧(V $_{OC}$ )はキャリア濃度が高いものほど大きな値を示した。3MeV陽子線を照射したところ、I $_{SC}$ はどのキャリア濃度の試料も同様に劣化するが、V $_{OC}$ はキャリア濃度が高い試料ほど劣化が大きいことが判明した。このことから、宇宙用太陽電池のトップセルとしてはキャリア濃度の低い方が耐久性が高いと判断できる。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of 2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-4) (CD-ROM)
巻	:
号	:
ページ数	:	p.1846 - 1849
発行年月	:	2006/05
発表会議名	:	2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-4)
開催年月	:	2006/05
開催都市	:	Waikoloa
開催国	:	U.S.A.
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	宇宙航空研究開発機構

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登録番号 : BB20060354
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 4336

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