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Study on optimum structure of AlInGaP top cell for triple-junction space solar cell

三接合宇宙太陽電池としてのAlInGaPトップセルの構造最適化の研究

森岡 千晴*; 今泉 充*; 大島 武; 伊藤 久義; 岐部 公一*

Morioka, Chiharu*; Imaizumi, Mitsuru*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Kibe, Koichi*

宇宙用多接合太陽電池のさらなる高効率化に期待されているAlInGaPトップセルの耐放射線性に関する研究の一環として、AlInGaP太陽電池の放射線照射効果を調べた。試料にはGaAs基板上に化学気相成長法を用いて作製したキャリア濃度の異なるAlInGaP太陽電池(3$$times$$10$$^{16}$$$$sim$$3$$times$$10$$^{17}$$/cm$$^{3}$$)を用い、3MeV陽子線を室温にて1$$times$$10$$^{14}$$/cm$$^{2}$$まで照射した。初期特性に関しては、短絡電流(I$$_{SC}$$)はキャリア濃度が低い試料ほど大きく、開放電圧(V$$_{OC}$$)はキャリア濃度が高いものほど大きな値を示した。3MeV陽子線を照射したところ、I$$_{SC}$$はどのキャリア濃度の試料も同様に劣化するが、V$$_{OC}$$はキャリア濃度が高い試料ほど劣化が大きいことが判明した。このことから、宇宙用太陽電池のトップセルとしてはキャリア濃度の低い方が耐久性が高いと判断できる。

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