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低温下で照射した宇宙用太陽電池特性の電流注入による回復現象

Recovery phenomena of the characteristics of space solar cells irradiated at low temperature by current injection

宮本 晴基; 大島 武; 伊藤 久義; 今泉 充*; 森岡 千晴*; 川北 史朗*; 島崎 一紀*; 岐部 公一*; 河野 勝泰*

Miyamoto, Haruki; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Imaizumi, Mitsuru*; Morioka, Chiharu*; Kawakita, Shiro*; Shimazaki, Kazunori*; Kibe, Koichi*; Kawano, Katsuyasu*

InGaP/(In)GaAs/Ge3接合(3J)太陽電池の放射線劣化モデル構築を目的に、InGaPトップセルの劣化特性が電流注入により回復する現象を熱アニール効果を抑制できる低温で評価した。まず、宇宙用の3J太陽電池に対し、210Kにて10MeV陽子線を3$$times$$10$$^{13}$$/cm$$^{2}$$照射することで短絡電流(I$$_{SC}$$)を照射前の94%まで低下させた。その後、温度を保ったまま、暗状態にて外部電流源を用いた順方向電流注入(0.25A/cm$$^{2}$$)を行い特性の変化を調べた。その結果、電流注入時間の増加とともにI$$_{SC}$$の回復が見られること,1000秒以上では回復が飽和傾向を示すことが明らかとなった。また、このI$$_{SC}$$の飽和値は未照射の値に対して98%であった。このことは、電流注入により照射欠陥がアニールされ太陽電池出力特性の回復が見られるが、一部にはアニールされない種類の欠陥も存在することを示唆する結果といえる。さらに、回復量と電流注入時間の関係より欠陥アニール率を見積もったところ、0.005$$sim$$0.01程度が妥当であることが見いだされた。

no abstracts in English

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