• help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
前の画面に戻る

Anomalous increase in effective channel mobility on $$gamma$$-irradiated p-channel SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors containing step bunching

$$gamma$$線照射によるステップバンチングを含むpチャンネルSiC金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタの実効チャンネル移動度の異常増加

Lee, K. K.*; 大島 武; 大井 暁彦*; 伊藤 久義; Pensl, G.*

Lee, K. K.*; Oshima, Takeshi; Oi, Akihiko*; Ito, Hisayoshi; Pensl, G.*

六方晶炭化ケイ素(6H-SiC)上に作製した金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のチャンネル移動度($$mu$$)にステップバンチングが及ぼす影響を調べた。チャンネル方向がステップバンチングに平行又は垂直になるように設計した6H-SiC MOSFETの$$mu$$を比較したところ、ステップバンチングに垂直なチャンネル方向を有するMOSFET(垂直MOSFET)の$$mu$$は平行なもの(平行MOSFET)に比べ低いことが判明した。さらに、これらのMOSFETに$$gamma$$線を照射したところ、平行MOSFETの$$mu$$は単調に減少するのに対し、垂直MOSFETの$$mu$$は4Mradまでの照射では増加を示し、それ以上の照射量では減少することが見いだされた。また、表面平坦性4nm以下の基板に作製したMOSFETの$$mu$$は、$$gamma$$線照射により単調に減少することが確認された。これらの結果から、垂直MOSFETでは、結晶表面の乱れから電流はチャンネルの最表層ではなく深い部分を流れるため、$$mu$$を減少させる原因となる界面準位の影響を受けづらいこと、さらに、低線量の$$gamma$$線照射ではスクリーニング効果により見かけ上$$mu$$が増加することが示唆される。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1

巻

 :

45

号

 :

9A

ページ数

 :

p.6830 - 6836

発行年月

 :

2006/09

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1143/JJAP.45.6830

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

コバルト60照射施設

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：51.3

分野：Physics, Applied

Altmetrics

 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.

前の画面に戻る