ThRhInの単結晶育成及びFermi面の研究

Single crystal growth and Fermi surface properties of ThRhIn

松田 達磨; 芳賀 芳範   ; 池田 修悟; 山本 悦嗣  ; 宍戸 寛明*; Hieu, N. V.*; 摂待 力生*; 大貫 惇睦*

Matsuda, Tatsuma; Haga, Yoshinori; Ikeda, Shugo; Yamamoto, Etsuji; Shishido, Hiroaki*; Hieu, N. V.*; Settai, Rikio*; Onuki, Yoshichika*

トリウム(Th)は、その電子配置に5f電子を持たない元素である。化合物中において荷電子数は一般的に4価であると考えられる。そのため、4f電子が遍歴的なセリウム(Ce)化合物とフェルミ面のボリュームが同じことが期待される良い参照物質である。特にトウリム化合物のドハース・ファンアルフェン(dHvA)効果測定による研究は、Ce化合物のFermi面のトポロジーやサイクロトロン有効質量と比較することで、4f電子状態を研究する極めて有効な手段となる。実際われわれは、立方晶CeInと同じ結晶構造を持つThInの単結晶育成に成功し、この単結晶を用いたdHvA測定から、加圧下のCeInのdHvA測定との比較研究を行った。最近、ThRhInの単結晶育成にもIn-flux法により成功し、X線を用いた構造解析により、構造パラメータを決定した。さらにdHvAシグナルの観測にも成功し、詳細な極値断面積の角度依存性,サイクロトロン有効質量について調べた。この極値断面積の角度依存性から、CeCoInなどにおいて観測されているFermi面と同様のトポロジーを持つ円柱状のFermi面を持つことが明らかとなった。

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