反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析

Structure analysis of In/Si(111) surface studied by reflection high-energy positron diffraction

Hashimoto, Mie; Fukaya, Yuki; Kawasuso, Atsuo; Ichimiya, Ayahiko

Si(111)表面に1原子層のInを吸着させ、加熱させるとIn/Si(111)-(41)表面超構造が形成される。この表面は、さまざまな表面解析方法で研究が行われ、擬1次元金属鎖であることが確認されている。また、このIn/Si(111)-(41)表面を室温から冷却すると、130K程度で電荷密度波の形成を伴うパイエルス転移を起こし、In/Si(111)-(82)構造へと相転移することが知られている。しかし、それらの構造と相転移のメカニズムについては、実験手法によって結論も異なるため、まだ解明されていない。本研究では、最表面に敏感な反射高速陽電子回折(RHEPD)を用いて、低温におけるIn/Si(111)表面からのRHEPD強度のロッキング曲線を測定し、動力学的回折理論に基づく強度計算との比較から、擬1次元金属鎖の原子位置について報告する。

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使用言語	:	Japanese
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発行年月	:
発表会議名	:	日本物理学会2006年秋季大会(物性)
開催年月	:	2006/09
開催都市	:	千葉
開催国	:	日本
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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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