放射線検出器開発のための低キャリア濃度InSb結晶育成

InSb crystal growth of low carrier concentration for radiation detector development

菱木 繁臣; 古結 義崇*; 神野 郁夫*; 山名 元*

Hishiki, Shigeomi; Kogetsu, Yoshitaka*; Kanno, Ikuo*; Yamana, Hajimu*

現在のSiやGe放射線検出器よりも、高エネルギー分解能・高検出効率でX線や線の測定が可能なInSb検出器の開発を行っている。これまで市販の不純物を添加していないInSbウエハーを用いて製作したSchottky検出器で線のエネルギーピークの測定に成功した。しかし市販のInSbウエハーでは比抵抗値が低く、キャリア濃度が高いため十分な空乏層厚さが得られない。そこで垂直ブリッジマン法にて純度の異なる原材料を用いてInSbの結晶育成を試みた結果、高純度材料を用いて再結晶したInSbインゴットの中央部分で市販品に比べ低キャリア濃度で高比抵抗値である高品質InSbウエハーが得られた。また、Hall測定結果からInSbに残留する不純物がZnとAsである可能性が高いことが推測された。

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