Observation of initial oxidation on Si(110)-162 surface by scanning tunneling microscopy

Si(110)-162表面初期酸化過程の走査型トンネル顕微鏡観察

富樫 秀晃*; 高橋 裕也*; 加藤 篤*; 今野 篤史*; 朝岡 秀人  ; 末光 眞希*

Togashi, Hideaki*; Takahashi, Yuya*; Kato, Atsushi*; Konno, Atsushi*; Asaoka, Hidehito; Suemitsu, Maki*

Si(110)面は、デバイスの高速化及び高集積化の点から新たな基板表面として注目を集めており、その極薄酸化膜初期形成に伴う表面Si原子のエッチング効果の理解はデバイス作製に欠かせない。われわれは走査型トンネル顕微鏡(STM)を用い、清浄表面の原子レベルの酸化過程を解析した。その結果、Si(001)面とは異なり、酸化に伴うSiエッチングが極めて抑制され酸化層とのシャープな界面が作製可能であることを明らかにした。

On Si(110) surface, the hole mobility is enhanced as compared with that on Si(001) surface. This surface is also to be used in the next-generation three-dimensional devices. We conducted scanning-tunneling-microscopy (STM) observation on the initial oxidation of Si(110)-162 surface. The present result suggests less occurrence of etching under the oxidation condition. There is a possibility to form an abrupt oxide/Si interface on the Si(110) surface.