島崎 一紀*; 今泉 充*; 大島 武; 伊藤 久義; 岐部 公一*
Shimazaki, Kazunori*; Imaizumi, Mitsuru*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Kibe, Koichi*
タンデム型のアモルファスシリコン太陽電池へ50keV
10MeVの陽子線,500keV2MeVの電子線を照射し、発電特性の劣化を調べた。劣化挙動をMott-Rutherford断面積及びZiegler-Biersack-Littmark遮蔽ポテンシャルを考慮したNIEL(Non Ionizing Energy Loss)により解析したところ、すべてのエネルギーでの照射結果が「はじき出し損傷線量(Displacement Damage Dose: Dd)」で統一的に表現できることが見いだされ、アモルファスシリコン太陽電池の放射線劣化も単結晶半導体を用いた太陽電池と同様にDdが劣化を表す良い指標であることが判明した。また、照射後70及び130
Cでの熱処理を行ったところ、劣化した特性が未照射時と同じ値まで回復することが観測された。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.49 - 52 |
発行年月 |
: | 2006/10 |
発表会議名 |
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開催年月 |
: | 2006/10 |
開催都市 |
: | Takasaki |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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