森岡 千晴*; 今泉 充*; 大島 武; 伊藤 久義; 岐部 公一*
Morioka, Chiharu*; Imaizumi, Mitsuru*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Kibe, Koichi*
InGaPより優れた耐放射線性を有することから次期の宇宙用三接合太陽電池のトップセルに期待されているAlInGaP太陽電池の基板キャリア濃度や膜厚と耐放射線性の関係を調べた。有機金属化学気相成長(MOCVD)法によりGaAs基板上に作製した膜厚(500
1500nm)やキャリア濃度(3
10
310
/cm
)の異なるAlInGaP太陽電池へ3MeV陽子線を照射し発電特性の劣化を調べた。その結果、膜厚によらず開放電圧(V
)の初期特性及び劣化量は同じであること、短絡電流(I
)は膜厚が厚いものほど初期値が高いが110
/cm
照射後には膜厚によらず同じ値になることが見いだされた。一方、キャリア濃度が低いものほどIの初期特性は高く劣化が少ないこと、Vはキャリア濃度が高いものほど初期値は高いが、劣化も大きいことが判明した。以上の結果を総合的に判断することで、今回の範囲での最適な膜厚及びキャリア濃度は、それぞれ1250nm及び310/cmであると結論できた。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.169 - 172 |
発行年月 |
: | 2006/10 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 2006/10 |
開催都市 |
: | Takasaki |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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Altmetrics |
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