Decrease in hole concentration in Al-doped 4H-SiC by irradiation of 200 keV electrons

200keV電子線照射によるAl添加4H-SiC中のホール濃度の減少

Matsuura, Hideharu*; Minohara, Nobumasa*; Takahashi, Miyuki*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi

電子線照射による炭化ケイ素(SiC)中の正孔濃度の変化をホール測定により調べた。試料はアルミ(Al)添加六方晶(4H)SiCを用い、200keV電子線を室温にて照射した。正孔濃度の温度依存性を測定・解析することでアクセプタ準位,アクセプタ濃度及び補償濃度を見積もったところ、200meV程度の活性化エネルギーを有するAlアクセプタ濃度は電子線照射により減少すること、それに伴い370meV程度の活性化エネルギーを有する深いアクセプタ濃度が増加することが見いだされた。200keVの電子線ではSiC中の炭素(C)のみはじき出されることから、370meVの深いアクセプタ準位はC空孔に関連する欠陥であることが示唆される。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of 7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-7)
巻	:
号	:
ページ数	:	p.181 - 184
発行年月	:	2006/10
発表会議名	:	7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-7)
開催年月	:	2006/10
開催都市	:	Takasaki
開催国	:	Japan
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
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論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	電子加速器
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	大阪電通大学

Access	:	- Accesses
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登録番号 : BB20062591
抄録集掲載番号 : 35000254
論文投稿番号 : 1811

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