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Effect of pressure on the electronic state in antiferromagnets UPt$$_2$$Si$$_2$$ and UIr$$_2$$Si$$_2$$

反強磁性体UPt$$_2$$Si$$_2$$ and UIr$$_2$$Si$$_2$$の電子状態の圧力効果

池田 修悟; 中島 美帆*; 松田 達磨; 立岩 尚之   ; 山本 悦嗣  ; 中村 彰夫; 芳賀 芳範   ; 辺土 正人*; 上床 美也*; 大貫 惇睦*

Ikeda, Shugo; Nakashima, Miho*; Matsuda, Tatsuma; Tateiwa, Naoyuki; Yamamoto, Etsuji; Nakamura, Akio; Haga, Yoshinori; Hedo, Masato*; Uwatoko, Yoshiya*; Onuki, Yoshichika*

反強磁性体UPt$$_2$$Si$$_2$$($$T_{rm N}$$=34K)とUIr$$_2$$Si$$_2$$($$T_{rm N}$$=6.3K)に関して、8GPaまでの圧力下電気抵抗測定を行った。UPt$$_2$$Si$$_2$$のネール温度は、圧力の増加とともに緩やかに減少することがわかった。反強磁性が消失する圧力は、約10GPaと推定される。一方、UIr$$_2$$Si$$_2$$のネール温度は、圧力に対してほとんど変化が見受けられなかった。

We measured the electrical resistivity under pressures up to 8 GPa in antiferromagnets UPt$$_2$$Si$$_2$$ ($$T_{rm N}$$ = 34 K) and UIr$$_2$$Si$$_2$$ ($$T_{rm N}$$ = 6.3 K). The N$$acute{rm e}$$el temperature is found to decrease slowly as a function of pressure in UPt$$_2$$Si$$_2$$. The critical pressure $$P_{rm c}$$ ($$T_{rm N}rightarrow$$ 0) is roughly estimated as $$P_{rm c}$$ $$simeq$$ 10 GPa. On the other hand, the N$$acute{rm e}$$el temperature is unchanged in UIr$$_2$$Si$$_2$$.

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Journal of the Physical Society of Japan

巻

 :

75

号

 :

12

ページ数

 :

p.125003_1 - 125003_2

発行年月

 :

2006/12

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1143/JPSJ.75.125003

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

第4研究棟  

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

東京大学物性研究所; 信州大学; 大阪大学

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：19.46

分野：Physics, Multidisciplinary

Altmetrics

 :

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