without inversion symmetry in the crystal structureの磁気的・電気的性質河井 友也*; 奥田 悠介*; 宍戸 寛明*; Thamizhavel, A.*; 松田 達磨; 芳賀 芳範 
; 中島 美帆*; 竹内 徹也*; 辺土 正人*; 上床 美也*; 摂待 力生*; 大貫 惇睦*
Kawai, Tomoya*; Okuda, Yusuke*; Shishido, Hiroaki*; Thamizhavel, A.*; Matsuda, Tatsuma; Haga, Yoshinori; Nakashima, Miho*; Takeuchi, Tetsuya*; Hedo, Masato*; Uwatoko, Yoshiya*; Settai, Rikio*; Onuki, Yoshichika*
反転中心を持たない化合物CePtSi
の単結晶育成に成功した。二つの反強磁性転移を4.8及び2.4Kにおいて見いだした。秩序モーメントはCeあたり1.15
であり、[100]方向を容易軸方向とする。同じ構造で圧力超伝導を示すCeIrSiと比較すると、磁気異方性は似ているが、CePtSiはより強い磁性を示す。
We succeeded in growing a single crystal of CePtSi by the Sn-flux method. CePtSi is found to be an antiferromagnet with two transitions at 4.8 and 2.4 K. Magnetic easy direction was [100] direction with an ordered moment of 1.15 
/Ce. The anisotropy is similar to that of CeIrSi in which the pressure-induced superconductivity was observed.
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
: | 76 |
号 |
: | 1 |
ページ数 |
: | p.014710_1 - 014710_6 |
発行年月 |
: | 2007/01 |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：71.06 分野：Physics, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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