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中性子局所ドーピングに向けた$$^{30}$$Si同位体濃縮薄膜作製とその応用

Fabrication and estimation of $$^{30}$$Si-enriched thin films for local neutron transmutation doping

山田 洋一; 山本 博之; 大場 弘則  ; 笹瀬 雅人*; 江坂 文孝  ; 山口 憲司; 鵜殿 治彦*; 社本 真一  ; 横山 淳; 北條 喜一

Yamada, Yoichi; Yamamoto, Hiroyuki; Oba, Hironori; Sasase, Masato*; Esaka, Fumitaka; Yamaguchi, Kenji; Udono, Haruhiko*; Shamoto, Shinichi; Yokoyama, Atsushi; Hojo, Kiichi

Siに熱中性子を照射すると、$$^{30}$$Si$$rightarrow$$$$^{31}$$Pの核反応によりSi中にドナーが生成する。本研究では、当機構において開発されたレーザー同位体分離法を用い、$$^{30}$$Si濃縮材料から薄膜作製を試みた。これに中性子を照射すれば薄膜部分のみがドーピング層として得られ、高精度なドーピング領域の形成手法の確立とともにナノ材料への応用が可能となる。Si(100)基板上に$$^{30}$$Si同位体濃縮薄膜を成膜した結果、透過型電子顕微鏡断面像から均一な膜厚を持つアモルファス薄膜と、基板との急峻な界面の形成が確認された。また作製した薄膜を二次イオン質量分析法により解析した結果から、薄膜中の$$^{30}$$Si濃度は原料のそれとほぼ一致することが明らかとなった。発表では中性子照射に伴う電気特性の変化についても議論する。

Fabrication and estimation of $$^{30}$$Si-enriched thin films for local neutron transmutation doping has been attempted.

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

第5回同位体科学研究会

開催年月

 :

2007/03

開催都市

 :

名古屋

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

JRR-3M(研究炉3)  

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

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受委託・共同研究相手機関

 :

若狭湾エネルギー研究センター

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