アモルファスSiO/SiC界面構造の第一原理計算による生成,2

Generation of amorphous SiO/SiC interface structure by the first-principles, 2

宮下 敦巳; 大沼 敏治*; 岩沢 美佐子*; 土田 秀一*; 吉川 正人

Miyashita, Atsumi; Onuma, Toshiharu*; Iwasawa, Misako*; Tsuchida, Hidekazu*; Yoshikawa, Masahito

Siに比べ優れた物理特性を持つSiCを用いた半導体デバイスは、従来の半導体デバイスでは動作が困難な極限環境下で用いられる素子として期待されている。しかしSiCと酸化膜の界面には、SiCデバイスのチャネル移動度低下の原因となる界面欠陥が多く存在しており、その欠陥構造と素子特性との関連性を追求することは非常に重要である。本研究では実際のデバイスでの酸化膜界面を模擬するため、アモルファスSiO/SiC界面を計算機上に構築し、内在する欠陥構造の電子状態を算出することで、それが界面電気特性に与える影響を追求している。アモルファスSiO/SiC界面構造の生成は、第一原理分子動力学計算コードを用いた加熱・急冷計算法にて行った。1017原子界面構造モデルに対して、4000K3psの固定終端加熱,終端解放後,3500K2psの継続加熱,-2000K/psで室温までの急冷を行った。生成したSiO層の動径分布関数を評価したところ、Si-O結合距離は0.165nm,Si-O-Si結合角は135,O-Si-O結合角は109と得られ、かつ、局所密度分布からも良好なアモルファス特性を示していることが確かめられた。

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