Si(110)-162初期酸化過程のSTM観察

STM observation on initial oxidation process at Si(110)-162 surface

Togashi, Hideaki*; Takahashi, Yuya*; Kato, Atsushi*; Konno, Atsushi*; Suemitsu, Maki*; Asaoka, Hidehito

Si(110)面は、デバイスの高速化及び高集積化の点から次世代CMOSテクノロジーに必須の活性面として注目を集めている。Si(100)面と異なりSi(110)表面では酸素導入直後に表面の急速初期酸化が生じる。被覆率の検討から、この急速初期酸化状態がSi(110)-162の基本構成ユニットであるペンタゴン・ペアに関連する可能性が示唆されるが、その直接的検証は未だなされていなかった。われわれは走査型トンネル顕微鏡(STM)を用い、酸素ガスを用いたSi(110)-162清浄表面への初期酸化過程を観察し、アドアトムに関連する段階的に進行する酸化状態を見いだした。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	第12回ゲートスタック研究会; 材料・プロセス・評価の物理
開催年月	:	2007/02
開催都市	:	三島
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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受委託・共同研究相手機関	:	東北大学

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登録番号 : BB20063546
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