Relationship between defects induced by irradiation and reduction of hole concentration in Al-doped 4H-SiC

Al添加4H-SiC中の正孔濃度の減少と照射誘起欠陥の関係

Matsuura, Hideharu*; Kagamihara, So*; Ito, Yuji*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi

アルミニウム(Al)添加六方晶炭化ケイ素(4H-SiC)中の正孔濃度に及ぼす電子線照射の影響を調べた。200keV又は4.6MeVのエネルギーの電子線を室温で照射したAl添加4H-SiCエピタキシャル膜の正孔濃度をホール効果により求めた。正孔濃度の温度依存性よりAlアクセプタ及びAl関連欠陥の活性化エネルギーが、それぞれ200meV, 350meVと求められた。4.6MeV電子線照射によりAlアクセプタ及びAl関連欠陥濃度ともに減少するが、200keV電子線照射ではAlアクセプタ濃度は減少し、Al関連欠陥濃度は増加することが判明した。200keV電子線照射ではSiC中の炭素(C)のみがはじき出されることから、Al関連欠陥はAlとC空孔が関連する複合欠陥であることが示唆される。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	JAEA-Review 2006-042, JAEA Takasaki Annual Report 2005
巻	:
号	:
ページ数	:	P. 14
発行年月	:	2007/02
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAEA-Review-2006-042.pdf
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	電子加速器
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	大阪電通大学

Access	:	- Accesses
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登録番号 : AA20070176
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 3768

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