小野田 忍; 大島 武; 平尾 敏雄; 三島 健太; 菱木 繁臣; 岩本 直也; 河野 勝泰*
Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi; Hirao, Toshio; Mishima, Kenta; Hishiki, Shigeomi; Iwamoto, Naoya; Kawano, Katsuyasu*
高エネルギー物理学における粒子検出器開発の観点から軽イオン等が半導体素子に入射した時の電荷収集効率(CCE:Charge Collection Efficiency)に関する研究が盛んに行われている中、われわれは、材料開発で使用する加速器用の粒子検出器、さらには宇宙でのシングルイベント効果の理解にも重要となる重イオンが半導体素子に入射した時のCCEに関する研究を進めた。その結果、既存の理論モデル(Gunnモデル)によって重イオンが半導体素子に誘起するCCEの電圧依存性を説明できないことがわかった。本研究では、重イオンにより誘起された電子及び正孔がオージェ過程を経て再結合する可能性を半導体デバイスシミュレータ(TCAD:Technology Computer Aided Design)により検討した。その結果、オージェ再結合によりCCEが低下することを明らかにし、その係数がおよそ6
10
cm
/sであることを示した。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 54 |
号 |
: | 6 |
ページ数 |
: | p.2706 - 2713 |
発行年月 |
: | 2007/12 |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
: |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
: |
パーセンタイル：72.04 分野：Engineering, Electrical & Electronic |
Altmetrics |
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