高エネルギー重イオンによるTIBIC測定技術の開発,2

Development of TIBIC system combined with a microbeam of high energy heavy ions, 2

小野田 忍; 平尾 敏雄; 菱木 繁臣; 大島 武

Onoda, Shinobu; Hirao, Toshio; Hishiki, Shigeomi; Oshima, Takeshi

宇宙には数十MeV数百GeVの重イオンが多く存在する。これらが半導体に入射するとシングルイベント(SE)効果が引き起こされる。その発生機構を解明するためには、高エネルギー重イオンを任意の領域に照射する技術が必要となる。本研究では、コリメータ型ビームよりも位置分解能が高い集束型マイクロビームを利用して、TIBIC(Transient Ion Beam Induced Current)システムの測定系を構築した。実験には、AVFサイクロトロンからの260MeV-Neビームを磁気レンズで直径約1mに集束したマイクロビームを使用した。ビーム形成後、電極の直径が200mのダイオードにおいてTIBICイメージを取得した。TIBICイメージから、円状電極部分が最も重イオンに対して感受性が高いことがわかり、円状電極の周辺と中心部分でSE過渡電流の強度が異なることが観察された。以上のように、原子力機構高崎にて開発が進められてきた数百MeV級重イオンマイクロビームを応用することで、mオーダーの位置分解能でTIBICイメージを測定することが可能となった。

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