• help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
前の画面に戻る

$$^{30}$$Si同位体濃縮薄膜の中性子ドーピング

Neutron transmutation doping of $$^{30}$$Si enriched thin film

山田 洋一; 山本 博之; 大場 弘則  ; 笹瀬 雅人*; 江坂 文孝  ; 鵜殿 治彦*; 山口 憲司; 横山 淳; 北條 喜一; 社本 真一  

Yamada, Yoichi; Yamamoto, Hiroyuki; Oba, Hironori; Sasase, Masato*; Esaka, Fumitaka; Udono, Haruhiko*; Yamaguchi, Kenji; Yokoyama, Atsushi; Hojo, Kiichi; Shamoto, Shinichi

中性子ドーピングは、核変換($$^{30}$$Si$$rightarrow$$$$^{31}$$P)を利用しSi結晶中への均一なPドープを実現している。本研究は中性子ドーピングをナノ材料への応用を目的として、種々のSi薄膜に中性子を照射し物性変化の出現を試みた。このとき、$$^{30}$$Si濃縮材料を用いて作製されたナノ材料を用いることで、局所領域により効率的な中性子ドーピングが可能となる。これまでの報告では、同位体組成比を制御した$$^{30}$$Si同位体濃縮薄膜の作製が可能であることが確認され、作製した薄膜の中性子ドーピングによる電気特性変化を報告した。しかし得られた薄膜はアモスファスであり、キャリア移動度が低いと予想されることから、電気特性の変化において同位体濃度の影響は現在まで確認されていない。今回は、$$^{30}$$Si同位体濃縮材料による多結晶薄膜の作製条件を確立するとともに、中性子ドーピングによる物性変化の同位体濃度依存性を明らかにすることを目的とした。講演では、巨視的,微視的電気特性と薄膜の結晶性及び同位体濃度の影響を議論する。

Neutron transmutation doping has been tried by using $$^{30}$$Si enriched thin film in order to fabricate nano doping devices.

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会

開催年月

 :

2007/09

開催都市

 :

札幌

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

本成果にかかわる研究データのリンクです。

使用施設

 :

JRR-3M(研究炉3)  

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

若狭湾エネルギー研究センター

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

Altmetrics

 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.

前の画面に戻る