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Pressure-induced structural change of liquid InAs and the systematics of liquid III-V compounds

液体InAsの圧力誘起構造変化と液体III-V化合物の系統性

服部 高典   ; 辻 和彦*; 宮田 恭尚*; 菅原 崇行*; 下條 冬樹*

Hattori, Takanori; Tsuji, Kazuhiko*; Miyata, Yasuhisa*; Sugahara, Takayuki*; Shimojo, Fuyuki*

液体III-V化合物の圧力誘起構造変化を系統的に理解するために、放射光X線回折と第一原理分子動力学計算(AIMD)を用いて液体InAsの構造の圧力変化を調べた。X線回折実験から、液体の圧縮挙動が約9GPa近傍で一様なものから非一様なものへと変化することがわかった。その際に、約9GPaまで一定であった配位数がより高圧下で6から7.5へと上昇することがわかった。AIMD結果から、この変化は3つの部分構造の圧力変化に起因することがわかった。その変化は特に、As-As間の相関に現れており、低圧側では、部分配位数CN$$_{rm AsAs}$$を保ったまま、As-As間距離が減少するという等方的な収縮を示すが、高圧側ではAs-As間距離を保ったまま、CN$$_{rm AsAs}$$が上昇するという局所構造の変化を見せている。これらの結果を他の液体GaSb, InSbと比較し、液体III-V化合物の圧力変化の系統性を議論した。

To understand the pressure-induced structural changes of liquid III-V compounds systematically, the pressure dependence of liquid InAs was investigated using the synchrotron X-ray diffraction and an $textit{ab initio}$ molecular dynamics simulation (AIMD). The X-ray diffraction experiments revealed that the liquid changes its compression behavior from a nearly uniform type to a nonuniform one around 9 GPa. Corresponding to this change, the coordination number CN, which is maintained up to 9 GPa, markedly increases from 6.0 to 7.5. The AIMD simulation revealed that this change is related to the change in the pressure dependence of all three pair correlations. In particular, a marked change is observed in the As-As correlation; in the low pressure region the position of the first peak in $$g_{rm AsAs}(r)$$, $$r_{rm AsAs}$$, increases with maintaining the CN$$_{rm AsAs}$$, but in the high pressure region the $$r_{rm AsAs}$$ stops increasing and the CN$$_{rm AsAs}$$ begins to increase. The results for InAs are compared with those for GaSb and InSb and the systematics of the pressure-induced structural change of liquid III-V compounds are dicussed.

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パーセンタイル:31.31

分野:Materials Science, Multidisciplinary

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