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酸化亜鉛中の電子線照射欠陥の同定

Identification of electron-induced defects in ZnO

河裾 厚男; Chen, Z. Q.*; 前川 雅樹; 別役 潔*

Kawasuso, Atsuo; Chen, Z. Q.*; Maekawa, Masaki; Betsuyaku, Kiyoshi*

酸化亜鉛中の固有欠陥の性質を調べる目的で、電子線照射により生成する一次欠陥と照射後熱処理により生成する二次欠陥の起源を陽電子消滅測定と理論計算により調べた。水熱合成法で育成されたZnO(0001)単結晶に対して室温で3MeV電子線照射を行い、窒素ガス雰囲気中にて、100$$sim$$700$$^{circ}$$Cの温度範囲で30分間の等時焼鈍を行った。電子線照射により陽電子寿命は183psから212psに、Sパラメータは1.016倍に増加した。これらは原子空孔型欠陥の生成を示している。200$$^{circ}$$C焼鈍により照射直後に生成した原子空孔型欠陥は消失した。ところが400$$^{circ}$$C焼鈍により、新たな二次欠陥が生成することが見いだされた。同時計数ドップラー拡がり測定から得られた電子運動量分布を理論計算とともに詳細に解析した結果、照射直後に生成した原子空孔型欠陥は亜鉛空孔であり、400$$^{circ}$$C焼鈍で生成した二次欠陥は亜鉛空孔と亜鉛アンチサイトの複合体であることが判明した。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

日本物理学会第63回年次大会

開催年月

 :

2008/03

開催都市

 :

東大阪

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

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