Single crystal growth and de Haas-van Alphen effect in LuRhGa with quasi-two-dimensional electronic state

準2次元的電子状態を持つLuRhGaの単結晶育成とドハース・ファンアルフェン効果

Nguyen, D.; 松田 達磨; 芳賀 芳範   ; 池田 修悟*; 山本 悦嗣  ; 遠藤 豊明*; 摂待 力生*; 播磨 尚朝*; 大貫 惇睦

Nguyen, D.; Matsuda, Tatsuma; Haga, Yoshinori; Ikeda, Shugo*; Yamamoto, Etsuji; Endo, Toyoaki*; Settai, Rikio*; Harima, Hisatomo*; Onuki, Yoshichika

YCoGa-typeの斜方晶LuRhGaの単結晶育成をGa-flux法にて成功した。単結晶X線構造解析により、構造パラメータを決定した。また電気抵抗,比熱,ドハース・ファンアルフェン効果測定も行った。観測されたドハースブランチは、full potential LAPWエネルギーバンド計算の結果によってよく説明される。フェルミ面は、[001]方向にのびたシリンダー状の準2次元電子系であることがわかった。

We succeeded in growing a single crystal of a layered compound LuRhGa with an YCoGa-type orthorhombic crystal structure by the Ga-flux method. The lattice, positional, and thermal parameters were determined by single-crystal X-ray diffraction measurement. We also measured the electrical resistivity, specific heat, and de Haas-van Alphen (dHvA) effect. The detected dHvA branches were well explained by the results of full potential LAPW energy band calculations. The electronic state was found to be quasi-two-dimensional, indicating nearly cylindrical Fermi surfaces along the [001] direction.