Surface structures of Sn/Ge(111) at low temperature studied by reflection high-energy positron diffraction

反射高速陽電子回折を用いた低温におけるSn/Ge(111)表面構造の研究

橋本 美絵; 深谷 有喜   ; 河裾 厚男; 一宮 彪彦

Hashimoto, Mie; Fukaya, Yuki; Kawasuso, Atsuo; Ichimiya, Ayahiko

Ge(111)-c28表面上にSn原子を1/3原子層吸着させた表面は、220K以下になると33構造へ相転移する。2次元系のパイエルス転移として考えられたが、その後異なったモデルが報告され、現在もまだ解明されていない。また最近、この表面は30K以下で別の相転移を起こし、再び構造を形成することがわかり、光電子分光の結果からモット転移であると考えられている。しかし、相転移のメカニズムやSn原子の変位に関しては、明らかになっていない。最表面に敏感な反射高速陽電子回折(RHEPD)を用いて、構造(293K)と33構造(110K)のロッキング曲線の測定を行った結果、相転移前後でほとんど変化が見られなかったことから、220Kでの相転移では、Sn原子の平衡位置は変化しないことを明らかにした。また、33構造(110K)と構造(29K)のロッキング曲線の測定では、わずかな変化がみられたものの、回折パターンは33構造のままだった。さらに低温での研究結果について報告する。

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