核反応生成粒子が半導体に誘起する過渡電流の角度依存性

Angular dependence of the single event transient currents due to nuclear products in semiconductors

小野田 忍; 平尾 敏雄; 大島 武; 金子 広久; 佐波 俊哉*

Onoda, Shinobu; Hirao, Toshio; Oshima, Takeshi; Kaneko, Hirohisa; Sanami, Toshiya*

中性子が誘起するシングルイベント過渡電流は、中性子の「核反応」によって生じる重イオンの「電離」が原因となって引き起こされると考えられている。本研究では、核生成粒子の「電離」による相互作用を模擬するために、中性子がシリコンと核反応することによって生成し得る核種(HeからP:最大十数MeV)の中から炭素,酸素、及び珪素イオンのマイクロビームを利用し、核反応生成粒子が原因となり発生する過渡電流を測定した。その際、イオンの入射角度を0から60度まで変化させることで、角度依存性を調べた。測定の結果、入射角度が大きくなるに伴い、波形が遅延することがわかり、ピーク電流値はわずかに減少し、立上り時間は増加し、立下り時間は減少することがわかった。また、これらのパラメータの増減は、余弦の逆数に比例することが明らかとなった。

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