Surface structure of Si(111)-(82)-In determined by reflection high-energy positron diffraction

反射高速陽電子回折によるSi(111)-(82)-In表面構造の決定

Fukaya, Yuki; Hashimoto, Mie; Kawasuso, Atsuo; Ichimiya, Ayahiko

本研究では、反射高速陽電子回折(RHEPD)と第一原理計算を用いて、擬一次元金属鎖を形成し、低温において金属絶縁体転移を起こすIn/Si(111)表面の原子配置とバンド構造を調べた。動力学的回折理論に基づくロッキング曲線の解析から、130Kにおける41構造から82構造への相転移に伴って、In原子鎖がジグザグチェーン構造からヘキサゴン構造へ原子変位を起こすことを明らかにした。さらに、最適化したヘキサゴン構造を用いてバンド構造を計算したところ、この構造では60meVのバンドギャップが開くことがわかった。すなわち、ヘキサゴン構造は半導体的な表面であることがわかった。これは、最近の理論計算で予測されたように、低温ではヘキサゴン構造がエネルギー的に安定であることを示している。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Surface Science
巻	:	602
号	:	14
ページ数	:	p.2448 - 2452
発行年月	:	2008/07
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
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キーワード	:	no keyword

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/j.susc.2008.05.021
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：59.93 分野：Chemistry, Physical
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登録番号 : AA20080563
抄録集掲載番号 : 37000333
論文投稿番号 : 5362

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