反射高速陽電子回折を用いた低温におけるSn/Ge(111)表面の構造解析

Structures analysis of Sn/Ge(111) surface at low temperature studied by reflection high-energy positron diffraction

橋本 美絵; 深谷 有喜   ; 河裾 厚男; 一宮 彪彦

Hashimoto, Mie; Fukaya, Yuki; Kawasuso, Atsuo; Ichimiya, Ayahiko

Ge(111)--Sn表面は、220K以下になると33構造へ、30K以下で再び構造へ相転移する。この相転移は、光電子分光の結果からモット転移であると考えられているが、相転移のメカニズムやSn原子の変位に関しては、わかっていない。本研究では、最表面に敏感な反射高速陽電子回折(RHEPD)を用いて、Sn/Ge(111)表面からのロッキング曲線を測定し、相転移前後における原子変位について報告する。29Kにおけるロッキング曲線の結果では、視斜角2.2のディップと(111)ブラッグピークの位置が低視斜角側にわずかにシフトし、(111)と(222)ブラッグ反射を含む大きなピークのすそが少し拡がる変化が見られた。このロッキング曲線の違いは、33構造から構造への相転移によると考えられるが、回折パターンは33構造のままであった。また、RHEPD強度の温度依存性の測定から、低温相(33構造)においては、温度の減少に伴いフォノンモードのソフト化による強度の減少が見られた。このソフト化が30K付近で起こる相転移に関与していると推測され、さらに低温での測定を進めている。

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