電子スピン共鳴分光と第一原理計算による4H-SiC中の格子間炭素欠陥の同定

EPR and theoretical identification of di-carbon antisite defects in 4H-SiC

梅田 享英*; 磯谷 順一*; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義; Gali, A.*

Umeda, Takahide*; Isoya, Junichi*; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Gali, A.*

耐放射線性半導体として期待される炭化ケイ素(SiC)の欠陥研究の一環として、電子常磁性共鳴(EPR)測定と第一原理計算の結果を比較検討することで格子間炭素に由来する欠陥を調べた。格子間炭素由来欠陥は、最近低温フォトルミネッセンス観察によって多数見いだされ、その存在が注目を集めている。格子間炭素はSiC中では複合化(di-carbon, C)として存在すると言われており、Cサイトに入ったものをdi-carbon interstitial(C)、Siサイトに入ったものをdi-carbon antisite(C)と呼ぶ。HEI5/HEI6と名付けられたEPRシグナルに関しては、以前より格子間炭素由来であることが指摘されていたが、その構造は同定されていなかった。今回、HEI5/HEI6の熱安定性の考察及びC及びSi超微細テンソルのほぼ完全な解析と、第一原理計算による計算値との比較を行うことで、HEI5信号がSi(k)サイト、HEI6信号がSi(h)サイトに入った(C)であると同定できた。

no abstracts in English