検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年

Defects introduced by electron-irradiation at low temperatures in SiC

低温電子線照射によりSiC中に導入される欠陥

Son, N. T.*; 磯谷 順一*; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義; Gali, A.*; Janz$'e$n, E.*

Son, N. T.*; Isoya, Junichi*; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Gali, A.*; Janz$'e$n, E.*

耐放射線性半導体として期待される炭化ケイ素(SiC)の欠陥研究の一環として、低温下での電子線照射により生成される欠陥の同定を電子常磁性共鳴(EPR)を用いて行った。試料は立方晶(3C),六方晶(4H, 6H)SiCを用い、80$$sim$$100Kの温度範囲で2MeV電子線を照射した。照射後も試料を低温下で保持し、EPR測定を行った結果、LE1$$sim$$LE10とラベル付けされたスペクトルが観測された。このうち、3C-SiCで観測されたC$$_{2v}$$対称、スピン3/2を持つLE1とラベルされたスペクトルを理論計算結果と併せて考察することで、シリコン空孔と$$<$$100$$>$$方向に存在するシリコン格子間原子のフレンケルペアが3価に荷電した(V$$_{Si}$$-Si$$_{i}$$)$$^{3+}$$複合欠陥であることを決定した。

Defects introduced by electron irradiation at $$sim$$ 80-100 K in 3C-, 4H- and 6H-Silicon Carbide (SiC) were investigated by Electron Paramagnetic Resonance (EPR). A number of EPR spectra, labelled LE1-10, were detected. Combining EPR and theoretical calculations (supercell calculation), the LE1 center in 3C-SiC with C$$_{2v}$$ symmetry and an electron spin S=3/2 could be determined to be the (V$$_{Si}$$-Si$$_{i}$$)$$^{3+}$$ Frenkel pair between the silicon vacancy and a second neighbor Si$$_{i}$$ interstitial along the $$<$$ 100 $$>$$ direction.

Access

:

- Accesses

InCites™

:

Altmetrics

:

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.