反射高速陽電子回折を用いたSn/Ge(111)表面の相転移の研究

Phase transition of Sn/Ge(111) surface studied by reflection high-energy positron diffraction

橋本 美絵; 深谷 有喜   ; 河裾 厚男; 一宮 彪彦

Hashimoto, Mie; Fukaya, Yuki; Kawasuso, Atsuo; Ichimiya, Ayahiko

Ge(111)--Sn表面は、220K以下で33構造へ相転移する。この相転移は、2次元系のパイエルス転移として注目されたが、その後Sn原子が熱的に揺らいだモデルが報告され、現在も解明が行われている。また最近、30K以下で再び構造へモット転移することが報告された。しかしながら、この走査トンネル顕微鏡像はチップの影響を受けたものであり、構造への相転移は起こらないとする論文が発表された。このように研究が盛んに行われているが、相転移のメカニズムやSn原子の変位に関しては、まだ明らかになっていない。そこで本研究では、最表面に敏感な反射高速陽電子回折を用いて、Sn/Ge(111)表面からのロッキング曲線を測定し、動力学的回折理論に基づく強度計算との比較から、それぞれの相転移前後における原子変位について報告する。293Kと110Kからのロッキング曲線の測定を行った結果、ほとんど変化が見られなかった。よって220Kで起こる相転移は、秩序-無秩序相転移であると考えられる。一方、110Kと29Kのロッキング曲線を比較すると、わずかな変化が見られ、極低温でSn原子が変位していることがわかった。

no abstracts in English