界面の原子価状態とその熱拡散 interface observed by micro-X-ray absorption spectroscopy平尾 法恵; 馬場 祐治 
; 関口 哲弘 ; 下山 巖 
; 本田 充紀 ; 成田 あゆみ
Hirao, Norie; Baba, Yuji; Sekiguchi, Tetsuhiro; Shimoyama, Iwao; Honda, Mitsunori; Narita, Ayumi
SOI技術等の発展によりシリコン材料素子の微細化は進み、素子の電気特性に影響するSi-SiO界面の原子価状態を明らかにすることが重要となっている。そこで放射光軟X線と光電子顕微鏡を組合せた顕微X線吸収分光法により、Si-SiO界面における化学結合状態の画像観察を行った結果、原子価状態の分布をナノメートルスケールで明らかにすることができた。また、加熱に伴う原子価状態変化をリアルタイムで観測した結果、熱拡散中のSi-SiO界面には、SiO(Si2+)などの中間の化学状態が存在しないことを見いだした。
no abstracts in English
使用言語 |
: | Japanese |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | |
号 |
: | |
ページ数 |
: | |
発行年月 |
: | |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 2009/03 |
開催都市 |
: | 船橋 |
開催国 |
: | 日本 |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
: |
|
|---|---|---|
論文解説記事 |
: |
Access |
: |
- Accesses |
|---|---|---|
Altmetrics |
: |
[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.
被引用回数：