Binomial distribution function for intuitive understanding of fluence dependence of non-amorphized ion-track area

非晶質化していないイオントラック領域の照射量依存性を直感的に理解するための二項分布関数

Ishikawa, Norito; Ohara, Kota; Ota, Yasuyuki*; Michikami, Osamu*

高エネルギーイオン(200MeV Au)を照射したCeO $_{2}$ 薄膜について電子的エネルギー伝達に伴う照射損傷をラマン分光法により解析した。CeO $_{2}$ に起因するF2gピークのほかに、照射後に高波数側にブロードなピークが発達することがわかった。その結果は、計算による予測と同様の振る舞いであること、さらに真空熱アニールしたCeO $_{2}$ 試料と同様の振る舞いであることから、照射に伴う酸素欠損に起因すると結論付けた。

In this experiment, CeO $_{2}$ thin films are irradiated with 200 MeV Au to investigate the damage created by electronic energy deposition. The damage is studied by Raman spectroscopy.

使用言語	:	English
掲載資料名	:	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
巻	:	268
号	:	19
ページ数	:	p.3273 - 3276
発行年月	:	2010/10
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キーワード	:	no keyword

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/j.nimb.2010.06.006
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	タンデム加速器
広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：56.82 分野：Instruments & Instrumentation
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登録番号 : AA20090035
抄録集掲載番号 : 38001506
論文投稿番号 : 8170

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