空間反転対称性を持たないCeCoGeにおける多段磁気転移

Multi-step magnetic transition in non-centrosymmetric compound CeCoGe

金子 耕士   ; 目時 直人   ; 竹内 徹也*; 松田 達磨; 芳賀 芳範   ; Thamizhavel, A.*; 摂待 力生*; 大貫 惇睦

Kaneko, Koji; Metoki, Naoto; Takeuchi, Tetsuya*; Matsuda, Tatsuma; Haga, Yoshinori; Thamizhavel, A.*; Settai, Rikio*; Onuki, Yoshichika

空間反転対称性を持たないBaNiSn型構造をとるCeCoGeは、同じ結晶構造を持つCeIrSi, CeRhSiと同様に、圧力下で超伝導を示す。超伝導は、反強磁性が消失する臨界圧力近傍で現れることから、磁性の詳細について興味が持たれる。常圧下では、無磁場で20K, 11K, 7Kにおいて磁気転移を示すことが報告されているが、その詳細は明らかではない。今回、CeCoGeの磁気相互作用の詳細及びこの多段転移の本質を明らかにする目的で、単結晶中性子回折実験を行った。冷却に伴い、まず20K以下で、1 0 1/3に磁気反射が現れることを見いだした。さらに低温の8Kでは、この1 0 1/3反射が消滅する一方、代わって1 0 1/4反射が現れる。そして5.3K以下では、1 0 1/4反射が消滅しないものの、急激に弱くなるのに対し、新たに1 0 1/2反射が現れることを明らかにした。この結果は、CeCoGeにおける多段転移が、軸方向についての反強磁性結合の周期の変化に対応していることを示している。講演では、各相の磁気構造モデル及び詳細な温度変化も含めて発表する。

We report neutron diffraction studies on non-centrosymmetric compound CeCoGe with the BaNiSn-type structure. Upon cooling down the temperature, emergence of the 1,0,1/3 magnetic reflection was found below 20,K. The 1,0,/4 reflection appears below 8,K substituting 1,0,1/3, and finally 1,0,,1/2 reflection appears below 5.3,K. This result indicates that the multi-step transition in CeCoGe is the change of the periodicity along the c-axis.