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Deep defects in 3C-SiC generated by H$$^{+}$$- and He$$^{+}$$-implantation or by irradiation with high-energy electrons

プロトン,ヘリウム又は高エネルギー電子線照射により3C-SiC中に発生するディープレベル

Weidner, M.*; Trapaidze, L.*; Pensl, G.*; Reshanov, S. A.*; Sch$"o$ner, A.*; 伊藤 久義; 大島 武; 木本 恒暢*

Weidner, M.*; Trapaidze, L.*; Pensl, G.*; Reshanov, S. A.*; Sch$"o$ner, A.*; Ito, Hisayoshi; Oshima, Takeshi; Kimoto, Tsunenobu*

耐放射線性半導体として期待される立方晶炭化ケイ素(3C-SiC)中に発生する照射欠陥をDLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)により調べた。H$$^{+}$$, He$$^{+}$$イオン、又は、電子線照射により3C-SiC中へ欠陥を導入したところ、W1$$sim$$W9までの欠陥準位が観測されたが、すべての照射でW6と名付けられた欠陥準位が主要な欠陥であることが見いだされた。W6について詳細に調べたところ、電子を放出後に中性化することが判明した。これより、W6はアクセプタ型の深い準位を持つ欠陥(ディープレベル)であると帰結できた。

Intrinsic defects in 3C-SiC generated by implantation of H$$^{+}$$ and He$$^{+}$$ ions or by irradiation of high energy electrons were investigated using DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy). The defect parameters and the thermal stability of the observed defects are determined. The dominant DLTS peak was named W6-center and its capture-cross-section was directly measured by variation of the filling pulse length. The charge state of the W6-center is obtained from double-correlated DLTS investigations according to the Poole-Frenkel effect.

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