宇宙用SOIデバイスのシングルイベント現象の新評価技術

A New evaluation technology for single event effects on space use SOI devices

小林 大輔*; 廣瀬 和之*; 牧野 高紘; 小野田 忍; 平尾 敏雄; 大島 武

Kobayashi, Daisuke*; Hirose, Kazuyuki*; Makino, Takahiro; Onoda, Shinobu; Hirao, Toshio; Oshima, Takeshi

宇宙空間は過酷な放射線環境であり、半導体デバイスを利用するにはそれらへの対策が必要となる。本研究では、半導体デバイスの製造方法の一つである先端SOI(Silicon On Insulator)プロセスを利用して、放射線耐性の高い宇宙用半導体デバイス、すなわち「宇宙用SOIデバイス」の実現に取り組んでいる。その実現にはCPU等の論理回路におけるシングルイベント現象の評価が必要である。論理回路におけるシングルイベント現象は幾つかに分類できるが、最近では、SET(Single Event Transient)と言うパルスノイズが懸念となっている。論理回路を構成する論理ゲートに放射線が当たることで発生するパルスノイズにより、回路の動作が乱され誤動作してしまうためである。われわれはSET評価の技術として、スナップショット回路と呼ぶ新しい評価用回路を開発するとともに、それを用いることでSOIデバイスが従来のバルクデバイスよりSET耐性に優れていることを実証した。

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