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Radiation hardness evaluation of SiC-BGSIT

SiC-BGSITの耐放射線性評価

田中 保宣*; 小野田 忍; 高塚 章夫*; 大島 武; 八尾 勉*

Tanaka, Yasunori*; Onoda, Shinobu; Takatsuka, Akio*; Oshima, Takeshi; Yatsuo, Tsutomu*

炭化ケイ素(SiC)埋込みゲート静電誘導型トランジスタ(BGSIT)と一般的なシリコン(Si)金属・酸化膜・半導体トランジスタ(MOSFET)の放射線耐性を評価し、その耐放射線性の比較を行った。Si MOSFETの場合、100kGy程度と低い照射量で、オン電圧が劣化した。この原因は結晶欠陥にあると考えられる。また、閾値電圧も放射線に対して非常に敏感に応答し、正電荷捕獲と界面準位の競合の結果として劣化することがわかった。さらに、降伏電圧と漏れ電流も減少することがわかった。一方、SiC-BGSITは10MGyという高線量域まで、すべての特性が維持され、高い耐放射線性があることがわかった。

no abstracts in English

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