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Surface characterization of homoepitaxial $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ film on $$beta$$-FeSi$$_{2}$$(111) substrate by X-ray photoelectron and absorption spectroscopy

X線光電子分光法及びX線吸収分光法による$$beta$$-FeSi$$_{2}$$(111)基板上にホモエピタキシャル成長させた$$beta$$-FeSi$$_{2}$$(111)薄膜の表面分析

江坂 文孝  ; 山本 博之; 鵜殿 治彦*; 松林 信行*; 山口 憲司; 社本 真一  ; 間柄 正明  ; 木村 貴海 

Esaka, Fumitaka; Yamamoto, Hiroyuki; Udono, Haruhiko*; Matsubayashi, Nobuyuki*; Yamaguchi, Kenji; Shamoto, Shinichi; Magara, Masaaki; Kimura, Takaumi

$$beta$$-FeSi$$_{2}$$は光通信デバイスなどへの幅広い応用が期待されている半導体材料である。しかしながらその表面に関しては未知な点も多く、正確な構造・組成の把握及びそれに基づく制御が、実用化に向けた課題の一つとなっている。本研究では、放射光を励起源としたX線光電子分光(XPS)法及びX線吸収分光(XAS)法を用い、$$beta$$-FeSi$$_{2}$$(111)単結晶上にエピタキシャル成長した$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜表面の組成及び化学状態について非破壊で分析を行った。この結果、薄膜表面に生じたSiO$$_{x}$$層の膜厚,化学状態の深さ方向への変化に関する知見を得ることができた。

Surface characterization of homoepitaxial $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ film on $$beta$$-FeSi$$_{2}$$(111) substrate has been performed by X-ray photoelectron and X-ray absorption spectroscopy.

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Physics Procedia

巻

 :

11

号

 :

ページ数

 :

p.150 - 153

発行年月

 :

2011/02

発表会議名

 :

Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials; Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010)

開催年月

 :

2010/07

開催都市

 :

Tsukuba

開催国

 :

Japan

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/j.phpro.2011.01.043

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：0.01

分野：Optics

Altmetrics

 :

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