単体MOSFETで発生する重イオン誘起過渡電流波形を用いた論理素子で発生するデジタルシングルイベントノイズパルス波形の推定

Estimation of digital single event transient noise pulse waveform from heavy ion induced transient current waveform in a single MOSFET

牧野 高紘; 平尾 敏雄; 小野田 忍; 大島 武; 廣瀬 和之*

Makino, Takahiro; Hirao, Toshio; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi; Hirose, Kazuyuki*

これまで、われわれは、半導体デバイスのソフトエラーの一因となる、デジタルシングルイベントパルス(Digital Single Event Transientパルス: DSETパルス)の時間幅測定を行ってきた。DSETパルスはごく短時間の電圧変動であるため、通常の測定機器による時間幅の測定は困難である。そのため、これまではLSIの内部に時間幅測定用のデジタル回路を組み込み、それによってパルス幅を測定する方法が取られてきた。しかし、この手法は、特殊な回路の設計・製作が必要となり、測定にかかるコストや時間がかかってしまう。この問題を解決するため、LSI内部の論理素子を構成する最小単位である1個のMetal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor(MOSFET)での放射線誘起過渡電流に注目し、その電流波形と論理素子の構造からDSETパルス波形を解析的に推定する手法を提案し、実証を行った結果について報告する。

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