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電子線照射した半絶縁性6H-SiC単結晶基板の評価

Evaluation of electron irradiated semi-insulated 6H-SiC single crystal substrates

宮崎 尚*; 守本 純*; 小野田 忍; 大島 武

Miyazaki, Hisashi*; Morimoto, Jun*; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi

6H-SiC(Silicon Carbide)に1$$times$$10$$^{16}$$及び5$$times$$10$$^{17}$$/cm$$^2$$のフルエンスの1MeVの電子線を照射し、透過型フーリエ変換型赤外分光(FT-IR)を用いた評価を行った。FT-IR測定の結果、照射前の試料では、2850cm$$^{-1}$$, 2300cm$$^{-1}$$及び2100cm$$^{-1}$$付近にピークが観察された。また、波数が2000cm$$^{-1}$$以下になると急激に透過しなくなることも明らかとなった。さらに、1450cm$$^{-1}$$付近に鋭いピークが観測された。未照射の試料と比較して、照射した試料の分光透過率は、減少する傾向も併せて観測され、特に、2500cm$$^{-1}$$を超える領域では、波数が大きくなるほど顕著に透過率が減少することがわかった。また、照射前に2850cm$$^{-1}$$あたりに検出されるC-H結合は、電子線照射後に減少したが、このことは、電子線照射によって、ダングリングボンドが増加した可能性を示唆している。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会

開催年月

 :

2010/10

開催都市

 :

つくば

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

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電子加速器

広報プレスリリース

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